Substrat keramik silikon nitrida memiliki banyak keunggulan, seperti kekuatan tinggi, ketangguhan tinggi, dan konduktivitas termal yang luar biasa (130W/(m-k)). Selain itu, koefisien ekspansi termalnya sangat mirip dengan semikonduktor Si, SiC, dan GaN. Oleh karena itu, substrat keramik silikon nitrida adalah pilihan ideal untuk pengemasan modul berdaya tinggi, menjadikannya secara luas dianggap sebagai pilihan substrat keramik yang paling cocok.
Perusahaan kami menggunakan proses nitridasi langsung untuk memproduksi bubuk silikon murni tinggi. Melalui teknologi paten unik kami, kami mengendalikan material silikon, proses nitrida, dan proses pemurnian untuk menyiapkan bubuk silikon nitrida CF-HJ dengan kemurnian tinggi, kandungan fase a tinggi, distribusi ukuran partikel yang sempit, dan aktivitas sintering yang luar biasa. Jenis bubuk silikon nitrida ini secara efektif telah mengakhiri monopoli asing dan dapat berfungsi sebagai pengganti yang sepenuhnya layak untuk bubuk silikon nitrida impor dengan tingkat kualitas yang sama.
|
Item uji |
Unit |
Rentang indeks |
Peralatan atau metode pengujian |
|
fase α |
% |
≥90 |
Difraktometer sinar-X JC/T 2342-2015 |
|
Fe |
ppm |
≤200 |
Metode penyerapan atom ISO10058-3:2008 |
|
al |
ppm |
≤200 |
|
|
ca |
ppm |
≤200 |
|
|
N |
% |
≥38,5 |
Perangkat nitrogen Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
|
Frss Si |
% |
<0.2 |
Gas volumetrik methpd GB/T 16555-2017 |
|
C |
% |
≤0.10 |
Analisa karbon inframerah frekuensi tinggi GB/T 16555-2017 |
|
D50 |
μm |
≤0,9 |
Penganalisis ukuran partikel laser GB/T19077-2016 |
|
O |
% |
≤1.4 |
Metode konduktivitas termal inframerah pulsa gas inert GB/T 16555-2017 |
