Kami menggunakan cookie untuk memberikan pengalaman browsing yang lebih baik, menganalisis lalu lintas situs, dan mempersonalisasi konten. Dengan menggunakan situs ini, Anda setuju dengan penggunaan cookie oleh kamiKebijakan Privasi
CF-HJ Bubuk Nitrida Silikon Murni Tinggi

Substrat keramik silikon nitrida memiliki banyak keunggulan, seperti kekuatan tinggi, ketangguhan tinggi, dan konduktivitas termal yang luar biasa (130W/(m-k)). Selain itu, koefisien ekspansi termalnya sangat mirip dengan semikonduktor Si, SiC, dan GaN. Oleh karena itu, substrat keramik silikon nitrida adalah pilihan ideal untuk pengemasan modul berdaya tinggi, menjadikannya secara luas dianggap sebagai pilihan substrat keramik yang paling cocok.

Perusahaan kami menggunakan proses nitridasi langsung untuk memproduksi bubuk silikon murni tinggi. Melalui teknologi paten unik kami, kami mengendalikan material silikon, proses nitrida, dan proses pemurnian untuk menyiapkan bubuk silikon nitrida CF-HJ dengan kemurnian tinggi, kandungan fase a tinggi, distribusi ukuran partikel yang sempit, dan aktivitas sintering yang luar biasa. Jenis bubuk silikon nitrida ini secara efektif telah mengakhiri monopoli asing dan dapat berfungsi sebagai pengganti yang sepenuhnya layak untuk bubuk silikon nitrida impor dengan tingkat kualitas yang sama.

Spesifikasi Teknis

Unduh PDF

Item uji

Unit

Rentang indeks

Peralatan atau metode pengujian

fase α

%

≥90

Difraktometer sinar-X

JC/T 2342-2015

Fe

ppm

≤200

Metode penyerapan atom

ISO10058-3:2008

al

ppm

≤200

ca

ppm

≤200

N

%

≥38,5

Perangkat nitrogen Kjeldahl

GB/T 16555-2017

Frss Si

%

<0.2

Gas volumetrik methpd

GB/T 16555-2017

C

%

≤0.10

Analisa karbon inframerah frekuensi tinggi

GB/T 16555-2017

D50

μm

≤0,9

Penganalisis ukuran partikel laser

GB/T19077-2016

O

%

≤1.4

Metode konduktivitas termal inframerah pulsa gas inert

GB/T 16555-2017

Permintaan Penawaran

  • Name*

  • Tel*

  • Email*

  • Country*

  • leave a message: